词语大全 ダイオード中文翻譯

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词语大全 ダイオード中文翻譯

動作開始の合図は被検者の前に設置された発光ダイオードによって指示した。
動作開始的信號由被檢測者前面的設置好的發光二極管發出。

その後,ギャップスイッチGSを動作させ,SOSダイオードに順方向電流を流す。
之后,啟動間隙開關GS,向SOS二極管通入正電流。

ノードが節點Aに,カソードが節點Cに接続されたダイオード接続トランジスタを表している.
這句話和原文不對應,少了一大半。請改正。

尚,本モデルにおいて,ダイオードの有無は解析上問題視しない。
另外,在本模型中,有無二極管并不成為解析上的問題。

発光ダイオードは左右2光源あり,発光した側の下肢を側方へステップすることとした。
發光二極管有左右2個光源,發光側的下肢向側方移動。

発振波長635nmアレイレーザダイオードのプリンタヘの適用
打印機中震蕩波長635nm的數組激光二極管的適用

透過光量及び漏れ光量は同一のフォトダイオードを用いて測定した。
透射光量和漏光量是使用同一光電二極管測量的。

フォトダイオード波形取得は,レーザ発振信號をオシロスコープのトリガーとしている。
光電二極管波形的獲取將激光振蕩信號作為示波器的觸發器。

溶出液の吸光度はダイオードアレイ検出器で検出した。
洗脫液的吸光度采用二極管陣列檢測器進行了檢測。

図4に,半導體素子としてアバランシェダイオード(AD)を用いたHPDの構造を示す。
在圖4中顯示使用半導體元件--雪崩二極管(AD)的HPD的結構。


ケース內部に24V電源とトランジスタ,ダイオード,抵抗器を組み込んだ電子基盤を配置した。
盒內部配置了插入24V電源、晶體管、二極管和電阻的電子基板。

フォトダイオードの設置には素子が迷光(外亂)の影響を受けないように遮光措置が必要である。
光電二極管的設置需要采取遮光措施使單元不受雜散光(干擾)影響。

Dtr(Q)はこのダイオード接続トランジスタに與えた名前(スコーレム関數)である.
dtr(Q)是賦予這個連接了二極管的晶體管的名字(Skolem函數)。

図1に本実験で製作したSOSダイオードを用いたIES方式パルス電源の回路図を示す。
圖1顯示本實驗制作的脈沖電源的電路圖,它使用SOS二極管的IES方式。

周りに設置するPINフォトダイオードの數をさらに増やすことによっても,距離の延長が可能である。
還可通過增加周圍配置的PIN光電二極管的數量,來延長傳輸距離。

フォトダイオードはPN接合により接合容量と稱する一つのコンデンサを形成していると考えることができる。
可以認為,光電二極管通過PN結形成了稱為結電容的一個電容。

受光素子には様々な種類があるが,反応速度とコストの面からもフォトダイオードが使いやすい。
光接收元件有各種各樣的種類,但是出于反應速度和成本方面,光電二極管更好用。

たとえば,バイポーラトランジスタやFETではリーク電流が増加し,ホトダイオードでは暗電流が増加する。
例如,雙極晶體管及FET的漏電流增加,光電二極管的暗電流增加。

ここにおけるV0,Vはホトダイオードが光量に応じて発生した電流を読み取ったレコーダーの電圧である。
這里的V0、V是讀取光電二極管響應光亮發生的電流的記錄儀的電壓。

フォトダイオードアレイ検出器付きHPLCを用いた農作物中の16農薬の殘留農薬分析法の検討
利用帶光電二極管陣列檢測器的HPLC,探討農作物中16農藥的殘留農藥分析法


方法としてゲルろ過クロマトグラフィー/フォトダイオードアレイの適用について検討した。
本文介紹了對目前的分析方法中關于凝膠過濾色譜/光電二極管列陣 的應用進行的討論。

整流ダイオードD1は逆流防止用である.
整流二極管D1是起防止逆流作用的。

この実験を基にCCDカメラと発光ダイオードで深海想定圧力下での容器內実験を可能にした。
以此實驗為基礎、用CCD攝像機與發光二極管就可以進行在假定的深海壓力下的容器內實驗。

その後,プローブ光は干渉フィルターを通してフォトダイオード(EOT製ET?2030)に導入される。
之后,探測光通過干涉濾光片,導入光電二極管(EOT生產ET-2030)中。

検出器は,ダイオードアレイ検出器MD?2015plusを用いて,200?400nmを検出した。
檢測器使用二極管陣列檢測器MD-2015plus,檢測范圍200 ̄400nm。

制御用として通常のレーザー光學系に追加設置するのは,この輻射量モニター用のフォトダイオードである。
作為控制用,在通常的激光光學系統中追加設置的是用于監控該輻射量的光電二極管。

回路は直流電源,コンデンサC,自爆型ギャップスイッチGS,インダクタL,SOSダイオードで構成される。
電路由直流電源、電容器C、自爆型間隙開關GS、電感L、SOS二極管構成。

そのため,レーザダイオードを含むピックアップを効果的に冷卻するためのドライブ構造の開発が求められている。
因此,為了有效得冷卻裝有激光兩極真空管的激光頭而開發它的驅動裝置則變得必要。

PIM信號を用いることで,発光ダイオード(IRLED)の駆動時間を短縮し,消費電力を節約している。
通過使用PIM信號,縮短了紅外線發光二極管(IRLED)的驅動時間,節約了電力消費。

プラスチック光ファイバとフォトダイオードの組み合わせによる受光が可能な波長範囲は400?700[nm]である。
塑料光纖和光電二極管的組合能夠接收的光的波長范圍為400-700[nm]。


赤外光パルスとして無線発信された信號をPINフォトダイオードで受信した後,逆の手順を経てアナログ信號へと復調する。
紅外線脈沖之無線發信信號被PIN光電二極管接受后,經相反程序恢復為模擬信號。

可視観察用の試料部からの像をビームスプリッター等で分光し,フォトダイオード受光面の直前に結像させる。
用分束器等儀器對來自可視觀察用試料部分的像進行分光,使其在光電二極管光接收面的正前方成像。

試料を透過したレーザ光は,透過光軸が偏向子と垂直に設定された検光子を通り,フォトダイオードによって検出される。
穿過樣品的激光,其透射光軸通過偏振鏡和設定為垂直的檢偏鏡,可以被光電二極管檢測出。

各チャネルの信號は,PDM変調された後,PIM信號に変換され,赤外発光ダイオード(IRLED)を駆動する。
各通道的信號,在PDM被調制后,變換成PIM信號,驅動紅外線發光二極管(IRLED)。

我々はビーム本數を増やす手段として,今回1チップ5チャンネルアレイレーザダイオードを開発し,プリンタヘの適用を検討した。
以增加光束數為手段,開發1芯片5頻數組激光二極管,研究其在打印機中的適用。

本研究ではフォトダイオードの従來の使用方と異なる,端子間容量をセンサの出力として計測する手法を用いる。
在本研究中,不同于光電二極管以往的使用方法,采用的是把端子間電容作為傳感器輸出進行測量的方法。

SOSダイオードは大電流を高速で遮斷でき,立ち上がりがナノ秒オーダーのパルス高電圧を,繰り返して発生することが可能である。
SOS二極管能夠高速切斷大電流,能夠反復產生上升時間為納秒等級的脈沖高壓。

ダイオードレーザーを代表とするレーザー裝置の小型化が進み,より安全で、治療効果の高い薬剤が開発されるようになった。
隨著以半導體激光器為代表的激光裝置的小型化,能夠開發出更安全、治療效果更高的藥物。

もう一方は,レーザ追尾距離測定裝置上にある4分割フォトダイオードに導かれ,ミラーを動かすモータの制御に利用される。
另一部分導向激光跟蹤距離測量裝置上的4分割光電二極管,用于移動反射鏡的電機的控制。

SiCpnダイオードやSiCSBDは順電流が立ち上がるまでにはそれぞれのビルトイン電圧に相當する順電圧が必要である。
SiCpn二極管及SiCSBD在順電流產生之前需要相當于各自的內建電壓的順向電壓。


通常赤外域の広い波長域で発振可能なダイオードレーザーは,技術の進歩により,赤色領域のレーザー光発振も可能になった。
隨著技術的進步,通常可在紅外區大范圍波長領域振蕩的二極管激光,在紅色區域也得以實現。

前方のオブジェクトのターゲット面で反射した一部が反射信號として受光レンズを介して受光フォトダイオードにヒットする。
在前方對象的目標面上反射回來的部分激光作為反射信號通過受光鏡頭,射到受光光電二極管上。

EVISはイメージセンサの各畫素に,フォトダイオードと4つのアナログメモリ,演算部を備えたスマートセンサである.
EVIS是一種在圖像傳感器的各個像素中具備光電二極、4個模擬存儲器以及運算部的智能傳感器。

テスト光には,525nm(緑)および644nm(赤)の発光ダイオードを用い,30Hzの逆位相でフリッカー呈示した。
測試光采用的是525nm(綠)和644nm(紅)的發光二極管,在30Hz的反位相出現閃光。

ゲルろ過クロマトグラフィー/フォトダイオードアレイを用いた各油種のRTおよびRT比から油種の細分化を図ることを試みた。
嘗試達到使用凝膠過濾色譜/光電二極管列陣通過各油種的RT及RT達到將油種細分化的目的。

樹脂の利用は,フォトダイオードを孔付近の任意の位置に固定することやデバイスの機械的強度を増すことにも寄與すると考えられる。
筆者認為,樹脂利用有利于在空穴附近的任意位置固定光電二極管,以及提高元件的機械強度。

ダイオード電流を抑制するため,図3に示すように,リミッタ?トランジスタをLEN(LEN)とボディコンタクト間に挿入する.
為了抑制二極管中的電流,如圖3所示,在LEN(LEN)和主體觸點之間插入限制器晶體管。

この意味項はダイオード接続トランジスタが電気的に導通狀態にあることを要求しており,導通狀態の定義(11)が使われることになる.
這些意義項要求連接了二極管的晶體管處于電流通導狀態,可以使用通導狀態的定義(11)。

フォトダイオードにより直接測定した図10の結果と定性的に一致するため,接觸領域と光出力は相関すると考えられる。
由于與利用光電二極管直接測量的圖10的結果在性質上一致,因此我們可以認為,接觸區域與光輸出具有相關性。

この右辺の接続條件と電気的條件により,導通狀態のダイオード接続トランジスタdtr(dtr(Q),A,C)が定義される.
我們依據右邊的連接條件和電方面的條件,定義通導狀態下的連接了二極管的晶體管dtr(Q),A,C)。

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