词语大全 ウェハー中文翻譯
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词语大全 ウェハー中文翻譯
そして,ウェハーをCrマスクに當てる事で,光軸に対してウェハーを垂直にする。
因此,通過使晶圓與Cr掩膜接觸,可以使晶圓與光軸垂直。
そして,ウェハーをCrマスクに當てる事で,光軸に対してウェハーを垂直にする。
因此,通過使晶圓與Cr掩膜接觸,可以使晶圓與光軸垂直。
一般的なウェハーチャックの裏側は球面すり合わせ構造になっている。
普通晶圓吸盤的內側為球面磨合結構。
レジストの側壁が垂直に形成できた理由は,光軸に対してウェハーチャックが垂直な事である。
光刻膠的側壁能夠垂直地形成的理由在于晶圓吸盤與光軸垂直。
なお,DEHPのほかに,シリコンウェハーに吸著しやすい物質とされるDBP,DEHAが検出された。
另外,除DEHP之外,也檢測到容易吸附到硅膠管上物質DBP、DEHA。
上下2點支持の構造であるため,スイング式やウェハー式に比べ,高い耐久性と安全性?靜音性に優れる。
由于采用上下兩點支撐的結構,與轉動式或薄片式相比使用壽命長,安全可靠,噪音非常小。
しかし,この方式は図7(b)に示すようにウェハーの一部分のみがマスクに當たり,ウェハーが光軸に対してわずかにずれやすい。
但是,如圖7(b)所示,使用該方式時,晶圓只有一部分接觸掩膜,晶圓相對于光軸容易偏移。
しかし,この方式は図7(b)に示すようにウェハーの一部分のみがマスクに當たり,ウェハーが光軸に対してわずかにずれやすい。
但是,如圖7(b)所示,使用該方式時,晶圓只有一部分接觸掩膜,晶圓相對于光軸容易偏移。
土産物屋がバカンス客向けに5?10DH(約60?120円)程度で,ピーナッツやウェハースをサルの餌として売っていた。
土特產屋以5~10DH(約60~120日元)左右向觀光客出售花生以及脆餅,作為猴子的飼料。
抵抗率が0.331?0.460Ωcmの低抵抗率Siウェハーを用いて,Si上に電著レジストを直接電著することを試みた。
使用電阻率為0.331~0.460Ωcm的低電阻率Si晶圓,在Si上嘗試了直接電沉積電沉積光刻膠。
図7(a)にCANON PLA501のウェハーチャックと光軸の関係,図7(b)に一般的なウェハーチャックと光軸の関係を示す。
圖7(a)顯示的是CANON PLA501的晶圓吸盤與光軸的關系,圖7(b)顯示的是普通晶圓吸盤與光軸的關系。
図7(a)にCANON PLA501のウェハーチャックと光軸の関係,図7(b)に一般的なウェハーチャックと光軸の関係を示す。
圖7(a)顯示的是CANON PLA501的晶圓吸盤與光軸的關系,圖7(b)顯示的是普通晶圓吸盤與光軸的關系。
では,IAPウェハーにおける金屬の存在深さを求めることを目的として,市販のTXRF裝置特有の三つのパラメーターを含む理論式を導出した。
接下來,以計算IAP晶圓中金屬的存在深度為目的,導出了包括市場銷售的TXRF裝置所特有的三個參數在內的理論式。
HF処理によりSiウェハーの自然酸化膜を除去した後,電流密度を1.67A/m2に設定し,5秒刻みで電著レジストを電著させた。
在通過HF處理去除Si晶圓上的自然氧化膜后,把電流密度設定為1.67A/m2,以5秒為單位,對電沉積光刻膠進行了電沉積。
PLA501は,図7(a)に示すようにウェハーチャックが光軸に対して垂直になるように調整した後,ウェハーをチャッキングするため,レジストの側壁を垂直に形成できる。
對于PLA501,如圖7(a)所示,因為是在將晶圓吸盤與光軸調整垂直后,卡緊晶圓,所以能夠垂直地形成光刻膠的側壁。
PLA501は,図7(a)に示すようにウェハーチャックが光軸に対して垂直になるように調整した後,ウェハーをチャッキングするため,レジストの側壁を垂直に形成できる。
對于PLA501,如圖7(a)所示,因為是在將晶圓吸盤與光軸調整垂直后,卡緊晶圓,所以能夠垂直地形成光刻膠的側壁。
超大規模集積回路(ULSI)の高集積化の進行に伴ってウェハープロセスへの清浄度の要求はますます厳しくなり,対象ごとに許容される汚染濃度の基準が定められるようになった。
隨著超大規模集成電路(ULSI)的高集成化,對晶圓工序的潔凈度要求也越來越嚴格,漸漸確立了針對每一個對象的容許污染濃度的標準。
その後,ウェハー洗浄後の表面に対してもVPD後0.1ml程度の液滴で表面を走査して,その液滴中にVPDで霧狀に表面に付著している微小液滴を取り込んで回収する方法が考案された。
隨后提出了,對清洗之后的晶圓表面進行VPD,然后用0.1ml大小的液滴對其表面進行掃描,用該液滴對因VPD在晶圓表面附著的呈霧狀的微小液滴進行吸收的方法。
これらのサンプリング法と溶液中の金屬成分に対して,より高感度な分析法として実用化された誘導結合プラズマ質量分析法(ICP?MS)と組み合わせて高感度化が図られ,ウェハー表面の酸化膜系の汚染に対しては10^{9}atoms cm?2以下のレベルまで分析が可能となった。
將這些采樣方法與針對溶液中的金屬成分進行更高靈敏度的分析方法,即被實用化的誘導結合等離子質量分析法(ICP-MS)相結合,提高靈敏度,并能在低于10^{9}atoms cm-2的條件下,對晶圓表面氧化膜的污染進行分析。
この手法は膜を溶解した後のSiウェハーを疎水性にすることで液滴の回収を容易にすること,及び液滴を分析する際の酸由來の分子イオン生成を最小限度にとどめるとともに,金屬薄膜の溶解性を向上させるために,できるだけ希薄にしたHFをベースとした塩酸(HCl)や硝酸(HNO3)などの混合液を用いることを特徴としている。
本方法的特點是,膜溶解后的Si晶變成了疏水性,使液滴的回收變得容易,而且在分析液滴時由酸生成的分子離子停留在最小限度,同時,為了提高金屬離子的溶解性,使用盡可能稀薄的HF作基底的鹽酸(HCl)、硝酸(HNO3)等混合液,。
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