液体抛光液配方(潜力新材料——化学机械抛光（CMP）材料)
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液体抛光液配方(潜力新材料——化学机械抛光（CMP）材料)
上榜理由
集成电路化学机械抛光工艺必不可少的耗材
化学机械抛光工艺是半导体制造过程中的关键流程之一，抛光材料则是该工艺必不可少的耗材。在整个半导体材料成本中，抛光材料仅次于硅片、电子气体和掩膜板，占比7%，是半导体制造的重要材料之一。
材料简介
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，通过采用较软的材料来实现高质量的表面抛光。抛光材料是CMP工艺必不可少的耗材。
图片来源：新材料在线®
根据功能的不同，可划分为抛光垫、抛光液、调节器，以及清洁剂等，主要以抛光垫和抛光液为主。
抛光材料分类及特点
本文重点介绍用于晶圆加工领域的化学机械抛光。
应用领域
晶圆加工、金属及非金属的表面加工…
CMP抛光原理
CMP利用晶圆和抛光头之间的相对运动来实现平坦化，抛光头以一定压力压在旋转的抛光垫上，研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布在硅片和抛光垫之间，形成一层研磨液液体薄膜。主要包含以下2个过程：
1. 化学过程：研磨液中的化学品和硅片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；
2. 物理过程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。
行业发展目标
工业和信息化部印发的《重点新材料首批次应用示范指导目录（2018年版）》中对CMP材料的发展要求如下：
CMP抛光液：小于45纳米线宽集成电路制造用CMP抛光液系列产品，包括铜抛光液、铜阻挡层铜抛光液、氧化物铜抛光液、多晶硅铜抛光液、钨抛光液等；200～300mm硅片工艺用抛光液；
CMP抛光垫、CMP修整盘：200~300mm集成电路制造CMP工艺用抛光垫、修整盘；200～300mm硅片工艺用抛光垫、修整盘。
市场规模预测
据Mordor Intelligence的统计及预测数据显示，2019年化学机械抛光（设备+材料）的市场规模为45.45亿美元，预计到2025年将增长至70.10亿美元，2020-2025年的复合年增长率为7.49％。
主要研究单位/公司
国内：鼎龙股份、江丰电子、时代立夫、安集微电子、天津西丽卡、天津晶岭、湖南皓志、台湾三方化学…
国外：富士、Hinomoto Kenmazai、卡博特、杜邦公司、Rodel、Eka、ACE、日本东丽、3M…
以上排名不分先后，名称均为简称
应用案例
半导体：化学机械抛光…
经CMP处理的芯片
图片来源：图虫创意
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