氮化材质(什么是III-V族氮化物半导体材料？)
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氮化材质(什么是III-V族氮化物半导体材料？)
III-V族氮化物半导体材料，是继硅，砷化镓之后的第三代半导体材料，包含了氮化镓（GaN），氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的三元合金（AlxGa1-xN、InxGa1-xN、InxAl1-xN）和四元合金（AlxInyGa1-x-yN）。
III-V族氮化物半导体材料是直接带隙半导体，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点。这些光电性质上的优势使III-V族氮化物半导体材料在新型光电子器件领域，如发光二极管、激光二极管、电力电子器件、电子功率器件等领域具有极强的竞争优势，处于不可替代的地位。相关产品在照明与显示、生物医学、材料加工、光通讯、光存储、医疗与美容、科研与国防、仪器和探测、图像纪录、娱乐等领域具有重要应用价值和广阔的市场前景。在2014年GaN基蓝光LED的发明者被授予诺贝尔物理学奖。目前随着全球半导体产业向国内转移，我国已经实现弯道超车，在核心技术领域处于国际领先水平。
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