日电光耦(东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦)

Posted 2023-05-28

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中国上海，2021年11月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。

TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。

TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1]，便于替代东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄，能够为电路板组件布局提供更高的灵活性，并支持电路板背面安装，或用于器件高度受限的新型电路设计。

这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易设计和保持温度裕度。

此外，东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H（LF4）与TLP5705H（LF4），采用SO6L（LF4）封装的引线成型选项。

应用：

工业设备

- 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

特性：

- 高峰值输出电流额定值（@Ta＝-40℃至125℃）

IOP＝±2.5A（TLP5702H）

IOP＝±5.0A（TLP5705H）

- 薄型SO6L封装

- 高工作温度额定值：Topr（最大值）＝125℃

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝-40℃至125℃）

注：

[1] 封装高度：4.25毫米（最大值）

[2] 现有产品：采用SDIP6封装的TLP700H

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TLP5702H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5702H.html

TLP5705H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5705H.html

如需了解相关东芝光半导体器件的更多信息，请访问以下网址：

隔离器／固态继电器

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays.html

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TLP5702H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP5702H.html

TLP5705H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP5705H.html

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