放大高频芯片(英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201)

Posted

篇首语:读书是易事,思索是难事,但两者缺一,便全无用处。本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了放大高频芯片(英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201)相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

放大高频芯片(英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201)

前言

英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动,采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装,支持独立的高低边PWM信号输入,可与绝大多数控制器匹配。是48V功率系统,48V无刷电机驱动器,48V轻混汽车的理想选择,如高性能大功率电源转换、电动工具、伺服电机、太阳能逆变器、双向逆变器和D类功放等应用。

英诺赛科ISG3201

英诺赛科 ISG3201 是一颗 100V 耐压的半桥氮化镓器件,芯片内部封装两颗耐压 100V,导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓开关管以及 100V 半桥驱动器。内部集成的驱动器省去了外部钳位电路,能够显著降低关联的寄生参数。半桥氮化镓器件具备60A连续电流能力,无反向恢复电荷,并具有极低的导通电阻。

ISG3201 外围元件非常精简,芯片内部集成了驱动电阻、自举电容和供电滤波电容。英诺赛科在这款芯片上采用固化驱动形式,减少栅极和功率回路寄生电感,并简化功率路径设计。该芯片还具有独立的高侧和低侧 PWM 信号输入,并支持 TTL 电平驱动,可由专用控制器或通用 MCU 进行驱动控制。

英诺赛科 ISG3201 焊盘特写

通过显微拍摄可清晰看到 ISG3201 的焊盘依次为 SW,PGND 和 VIN,独特的焊盘设计缩小了功率路径的环路面积,同时增大了散热面积,有效降低器件运行时的温升。相比传统分立的驱动器+氮化镓解决方案,电路设计更加简化,PCB尺寸更小巧,可设计单面布板,寄生参数更小,系统性能更优。

在应用方面,英诺赛科 ISG3201 半桥氮化镓器件适用于高频高功率密度降压转换器,半桥和全桥转换器,D类功放,LLC 转换器和功率模组应用,可用于 AI,服务器,通信,数据中心等应用场景。48V 工作电压也满足 USB PD 3.1 快充以及户外电源相关应用,通过集成的半桥器件,简化功率组件的开发设计。

此前,英诺赛科推出适用于快充的All GaN PD3.1解决方案,使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS,大幅度降低电阻,减小驱动损耗,并进一步缩小封装面积,大大提升了氮化镓快充开关频率,提高转换效率和功率密度,为大功率氮化镓快充提供体积更小巧,更高效的设计参考。

充电头网总结

半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成,具有更小的封装面积,更强的散热性能和更高的功率密度,能够满足48V大功率系统的应用,如高性能计算机,服务器,太阳能逆变器,电机驱动,数字音频以及电动汽车应用。

ISG3201 简化了低压氮化镓器件在48V以及更低电压系统中的应用,可以便捷搭配多种控制器,实现不同功能,提升效率。2023年英诺赛科还将相继推出Solid GaN 系列的更多低压氮化镓功率芯片,以满足更多市场应用需求。

英诺赛科是全球领先的氮化镓芯片研发与制造的IDM企业,拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺。目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件,覆盖30V到700V电压范围,产品的各项性能指标均达到国际先进水平,已经在快充、通信、LED、人工智能、自动驾驶、数据中心、储能等多个新兴领域中得到应用。

相关参考

微米氮化铝(新一代材料革命正在酝酿,中国能否终结硅时代,实现芯片全面领先)

硅时代的诞生1883年,爱迪生发现了爱迪生效应,为电子器件的诞生奠定了基础。1896年,弗莱明在爱迪生效应的基础上发明了真空二极管,这是人类历史上的第一支电子器件,后来,但因为耗电量大、寿命短,1950年,贝尔实验室...

测量放大器(思瑞浦推出高压、高精密、零漂移仪表放大器TPA1286)

TPA1286内部集成精密电阻,使得器件具备优异的直流精度,兼具高共模抑制能力和低增益误差等优势。1:供电范围支持±2.25V至±18V;2:在-40℃至+125℃工作温度下失调电压不超过50µV;3:温度漂移不超过0.2µV/°C;4:0.1Hz到10Hz频率...

测量放大器(思瑞浦推出高压、高精密、零漂移仪表放大器TPA1286)

TPA1286内部集成精密电阻,使得器件具备优异的直流精度,兼具高共模抑制能力和低增益误差等优势。1:供电范围支持±2.25V至±18V;2:在-40℃至+125℃工作温度下失调电压不超过50µV;3:温度漂移不超过0.2µV/°C;4:0.1Hz到10Hz频率...

日亚紫外芯片(一文读懂第三代半导体材料——氮化镓的产业现状与发展趋势)

...展到现在的第三代。本文着重分析第三代半导体材料之一氮化镓产业现状和发展趋势。5G通讯的革命性转变重塑了射频技术产业,也为氮化镓射频器带来重大的市场机遇。第三代半导体具备耐高压、高频、高效、耐高温、抗辐射...

日立450挖掘机仪表图解(一文看懂半导体行业基石:硅片)

...存的半导体材料格局。常见的半导体材料有硅,砷化镓,氮化镓和碳化硅。随着科学技术的发展,硅材料在半导体制作上逐渐趋向物理极限,因此无法满足一些超高规格电子产品对高功率,高频率和高压等苛刻条件。目前,可以...

无驱动器(采用MP6540 设计无刷直流电机驱动器)

...成的三个半桥。传统的电机驱动器架构结合了电机驱动器芯片和功率MOSFET。对三相BLDC电机而言,它需要6个外部MOSFET来形成三个桥臂来驱动每个相绕组。但传统架构需要较大的电路板,已经无法适

惠州无铅锡回收(接地设计不触电,国产合封GaN芯片保证性能,福佳120W适配器拆解)

...的一款120W电源适配器,这款电源最显著的优势是内置了氮化镓器件,相比传统MOS,电源的体积得到显著缩小。氮化镓器件的加入,缩小了电源体积,提高了电源效率,还能简化散热设计。电源适配器为24V输出,输出电流为5A,用...

无源中距离读写器(复旦微电推出新标签芯片及读写器芯片,高度适用无源物联应用场景)

昨天,上海复旦微电子集团股份有限公司宣布:推出超高频FM13UF系列标签芯片和FM13RD1616系列读写器芯片,具备超可靠、快速数据写入和读取功能,可有效提升标签盘点成功率,显著拓展标签识读距离,高度适用于无源物联网2.0...

放大镜英文单词怎么写(高频词游戏玩起来)

高频词,顾名思义,就是出现频率比较高的词,是由美国学者E.W.Dolch整理提出的。高频词一共220个,分成五个级别,这220个字被称为Dolchsightwords,是英语世界儿童阅读初期最为重要的词汇表,要求孩子能整体记忆,见词能读。高...

微星控制灯效是啥软件(微星海皇戟S主机评测 小体积的轻度娱乐创作工具)

...计十分精致,是高颜值、高性能的小钢炮主机。今年微星推出的海皇戟S略有不同。微星海皇戟S主机延续了该系列小体积的特生,大小仅有2.6L,高度也就两个手机大小,具有一定的便携性。不过性能方面微星海皇戟S没有配备高...