放大高频芯片(英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201)
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放大高频芯片(英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201)
前言
英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动,采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装,支持独立的高低边PWM信号输入,可与绝大多数控制器匹配。是48V功率系统,48V无刷电机驱动器,48V轻混汽车的理想选择,如高性能大功率电源转换、电动工具、伺服电机、太阳能逆变器、双向逆变器和D类功放等应用。
英诺赛科ISG3201
英诺赛科 ISG3201 是一颗 100V 耐压的半桥氮化镓器件,芯片内部封装两颗耐压 100V,导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓开关管以及 100V 半桥驱动器。内部集成的驱动器省去了外部钳位电路,能够显著降低关联的寄生参数。半桥氮化镓器件具备60A连续电流能力,无反向恢复电荷,并具有极低的导通电阻。
ISG3201 外围元件非常精简,芯片内部集成了驱动电阻、自举电容和供电滤波电容。英诺赛科在这款芯片上采用固化驱动形式,减少栅极和功率回路寄生电感,并简化功率路径设计。该芯片还具有独立的高侧和低侧 PWM 信号输入,并支持 TTL 电平驱动,可由专用控制器或通用 MCU 进行驱动控制。
英诺赛科 ISG3201 焊盘特写
通过显微拍摄可清晰看到 ISG3201 的焊盘依次为 SW,PGND 和 VIN,独特的焊盘设计缩小了功率路径的环路面积,同时增大了散热面积,有效降低器件运行时的温升。相比传统分立的驱动器+氮化镓解决方案,电路设计更加简化,PCB尺寸更小巧,可设计单面布板,寄生参数更小,系统性能更优。
在应用方面,英诺赛科 ISG3201 半桥氮化镓器件适用于高频高功率密度降压转换器,半桥和全桥转换器,D类功放,LLC 转换器和功率模组应用,可用于 AI,服务器,通信,数据中心等应用场景。48V 工作电压也满足 USB PD 3.1 快充以及户外电源相关应用,通过集成的半桥器件,简化功率组件的开发设计。
此前,英诺赛科推出适用于快充的All GaN PD3.1解决方案,使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS,大幅度降低电阻,减小驱动损耗,并进一步缩小封装面积,大大提升了氮化镓快充开关频率,提高转换效率和功率密度,为大功率氮化镓快充提供体积更小巧,更高效的设计参考。
充电头网总结
半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成,具有更小的封装面积,更强的散热性能和更高的功率密度,能够满足48V大功率系统的应用,如高性能计算机,服务器,太阳能逆变器,电机驱动,数字音频以及电动汽车应用。
ISG3201 简化了低压氮化镓器件在48V以及更低电压系统中的应用,可以便捷搭配多种控制器,实现不同功能,提升效率。2023年英诺赛科还将相继推出Solid GaN 系列的更多低压氮化镓功率芯片,以满足更多市场应用需求。
英诺赛科是全球领先的氮化镓芯片研发与制造的IDM企业,拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺。目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件,覆盖30V到700V电压范围,产品的各项性能指标均达到国际先进水平,已经在快充、通信、LED、人工智能、自动驾驶、数据中心、储能等多个新兴领域中得到应用。
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