怎么才能让电流变大(为什么三极管可以实现电流放大)
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怎么才能让电流变大(为什么三极管可以实现电流放大)
没有一个硬件工程师可以绕开的就是三极管和MOS管了，这是当前晶体管时代电子设计的基础。
说到晶体管，“三极管是流控的，MOS管是压控的”这句话大概都可以脱口而出，但是说到原理的话，都是似是而非，没有一个可以清楚的说明的。本文先就三极管为什么可以做电流放大来做一个详细的说明。
首先上神图：
以npn三极管为例，上图是比较形象的（需要注意区分图里的电流方向和电子运动方向），也是很多人在讲解的时候喜欢使用来说明的，具体的说明过程这里不再详述，只列下结果：
- (其中 是固定值，在20~200之间)
- 发射结正偏，集电结反偏（即BE正偏， > ，CB反偏， ）
那么同样是二极管，凭什么发射结就这么优秀呢，只分走了很小的一部分电流，而
分走了大部分电流，还有一个固定的倍数关系呢？
下面我们就要把三极管分出来两部分分别讲解了：
发射结正偏，即
克服了PN结中的势垒电压，使得电子可以在外加电压
的作用下从发射极E运动到基极B，即图中
，
是极少数的自由运动的电子导致的电流，可以认为是漏电流，非常小，所以可以忽略。
集电结反偏，这个理解相对抽象一些，我们可以使用反向思维来考虑这个问题，即若集电结正偏，会发生什么。当集电结正偏的时候，电流是从基极流向集电极，即电子方向从集电极流向基极，与图中所画的正好相反，所以集电极应该反偏，使电流按照图示流动。
这样分析下来有个问题，就是没法解释为什么
会比
小那么多，这里就要说一下三极管的结构了，这也是很多小伙伴所忽略的一个地方。
如图所示，三极管的结构。器件并不是对称的！！！三个区域的参杂浓度明显不同，其中，发射极的参杂浓度高于集电极，基极的参杂浓度最低。此外，在几何尺寸上，基极很薄，集电极的面积比发射极大，正是这种结构特点，构成了三极管具有电流放的作用的物质基础。
由于发射极正偏，所以发射极的电子源源不断地流入基极，而基极的空穴流入发射极，但是由于基极的参杂浓度很低，所以基极流入发射极的电流
非常小，而发射极流入基极的电流
非常大，如图中对比明显的两个电流。此时基极的电子浓度增大很多，集电结反偏，，导致集电极的电子浓度很低，在这个浓度差使得电子从基极流向集电极，而基极中与发射极电子复合的空穴由基极电源提供，形成基极复合电流
，为基极电流
的主要成分。
而发射极运动到基极的电子在发射结反偏电压的作用下，从基极流入集电极，形成了集电极的收集电流
，构成了集电极电流的主要部分。
通过上述分析可以看出，三极管中的薄的基极将发射结和集电结反紧密地联系在一起，可以把发射结的电流几乎全部地传输到反偏的集电结回路中去，这正是三极管实现放大作用的关键所在。
三极管的放大其实并不是真正的放大，只是
和
把
做了分流，而
由于自身缺陷，只能分走极小的一部分，其余绝大部分被
分走，而且栅极的结构尺寸确定，那么电流比例就确定了，这就是放大倍数
，
固定只发生在三极管工作在放大区！！！
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