干蚀刻原理(华林科纳为您讲解什么是湿法刻蚀)
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干蚀刻原理(华林科纳为您讲解什么是湿法刻蚀)
1湿化学
1.1湿蚀刻
1.1.1原则
湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性
化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。
1.1.2需求
液体化学必须满足以下要求:
•蒙版层不能被攻击
•选择性必须高
•刻蚀过程必须能够通过用水稀释来停止
•反应产物不能是气态的，因为它们可能遮蔽其他区域
•在整个过程中恒定的蚀刻速率
•反应产物必须是可溶解的，以避免颗粒
•环境安全和易于处理是必要的
1.1.3批量蚀刻
在批量蚀刻中，多个晶圆可以同时蚀刻、过滤和循环泵阻止颗粒到达晶圆。由于每加工一次晶圆，化学物质的浓度就会降低，因此必须经常更新。腐蚀速率，换句话说，每次磨损，必须是众所周知的，以确保一个可再生的过程。精确的回火是必要的，因为腐蚀速率随着增加温度。
一个杠杆可以在水平和垂直方向转移晶圆。后的晶片
被蚀刻后，蚀刻过程在不同的槽中用水清洗来停止。
随后在旋转干燥机中除去水分。
批量蚀刻的优点是处理量高，结构简单
蚀刻工具。但是，均匀性较低。
1.1.4喷雾蚀刻
喷射蚀刻可与光刻中的喷射显影相媲美。由于
晶圆的旋转同时稳定地更新了蚀刻化学的均匀性
很好。由于晶圆旋转速度快，晶圆内部不会出现气泡
必须分开处理。
作为单一晶圆工艺的替代方案，喷射蚀刻可以在多晶圆上进行
一次一块硅片。在旋转蚀刻机中，晶圆被放置在喷管周围，然后同心旋转。然后，硅片在热氮气环境中干燥
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